到2032年，亚太砷化镓晶圆市场将达到26.352亿USD，复合年增长率为16.6%：Astute Analytica

新德里，2025年5月十日（环球新闻）|亚太砷化镓晶圆市场在2025年的估值达到6.615亿USD，预计到2032年将达到26.352亿USD，反映出2025年至2032年间16.6%的惊人复合年增长率。

亚太区域对砷化镓（GaAs）晶片的需要激增，砷化镓是高性能电子商品的重点部件。这一趋势是由多种原因一同推进的，从生产办法和材料特质到各种应用和本钱考虑。GaAs晶片主要用两种办法生产：垂直梯度冻结（VGF）和液体封装直拉法（LEC）。这类办法生产出大的、高纯度的砷化镓锭，然后将它切成薄片。值得注意的是，VGF工艺在商业生产中最为容易见到，由于它可以达成高纯度单晶。因为主要电子制造商的存在和政府对技术进步的支持，亚太区域预计仍将是全球砷化镓晶圆生产的领导者。

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组成、性能和应用

砷化镓晶圆是由镓和砷形成的化合物半导体。与硅不同，GaAs具备直接带隙，允许电子更快地移动，干扰更小。这转化为优越的特质，如高电子迁移率和超越250GHz的特殊工作频率。除此之外，GaAs的宽带隙使其具备非常高的耐热性，确保了在高温下的稳定性能，为亚太砷化镓晶片市场增添了燃料。

砷化镓在各种一流的电子器件中起着至关关键的用途。它是微波频率集成电路、单片微波集成电路、红外LED、激光二极管、太阳能电池和光学窗口的重点材料。值得注意的是，95%的镓被生产到这类砷化镓晶片和器件中。有趣的是，GaAs可以直接将电转化为激光，很合适需要精准光控制的应用。除此之外，其低频放大能力使其成为敏锐电子设施的最佳选择。

有限的可用性和高昂的本钱给市场增长带来了挑战

镓是砷化镓中的一种重点元素，是一种相对罕见的稀土元素，其在地壳中的丰度仅为0.0019%。最大的镓生产国是澳大利亚、俄罗斯、法国和德国。然而，大部分市售镓是作为铝和锌生产的副商品获得的。与硅晶片相比，这种有限的可用性和复杂的提取工艺致使GaAs晶片的本钱显著更高。事实上，GaAs晶片可能比相同尺寸的硅片贵近1000倍。

砷化镓晶圆市场的重点发现

市场预测（2032年）26.352亿USD复合年增长率16.6%按种类半导体砷化镓（55.9%）按生产方法垂直梯度冻结（33.8%）按应用计算机和手机（29.5%）按工业电子（33.5%）主要趋势将重点转移到光子和太赫兹应用LGF愈加多地使用VGF办法主要驱动原因对高性能电子的需要无线通信技术的进步最大挑战来自硅技术的高生产本钱角逐新兴替代品：

电子行业是亚太区域砷化镓晶圆市场的主要买家，贡献了超越33%的收入

砷化镓晶片市场具备直接带隙，可达成更快的电子移动，并具备高电子迁移率（超越250 GHz）和耐热性等优秀性能，是高频应用的理想选择。这致使它们在智能手机和WLAN等无线和高速设施中占据主导地位，其中GaAs晶体管功率放大器和开关，与在手机和卫星的高功率发射机中占主导地位，这类发射机将高频和功率置于复杂集成之上。

尽管有本钱原因，GaAs在特定应用中比硅具备明显的优势。值得注意的是，GaAs太阳能电池即便具备很薄的层也可以达成高效率，这使其成为轻量化应用的理想选择。除此之外，GaAs具备天然的防潮、防辐射和紫外线性能，是恶劣环境的理想选择。除此之外，GaAs器件在热稳定性方面表现出色，即便在升高的工作温度下也能维持高性能。

在亚太砷化镓晶片市场，标准砷化镓晶片有各种直径，从25.4毫米（1英寸）到300毫米（11.8英寸）不等。它们可以以不一样的厚度、取向、抛光或未抛光的表面生产，并且可以掺杂硅、硼或铬等元素以达成特定的电性能。这种广泛的定制选项允许在各种电子应用中提供量身打造的解决方法。现在，砷化镓被用于微波频率集成电路、单片微波集成电路、红外LED、激光二极管、太阳能电池和光学窗口。

VGF是亚太区域高质量砷化镓晶圆市场的游戏规则改变者，控制着33.8%的市场份额

垂直梯度冻结（VGF）办法是亚太区域砷化镓晶圆市场无可争议的领导者。这种优势打造在几个重点优势之上，这类优势转化为优质晶圆和高效的大规模生产。VGF善于制造缺点最小的高纯度GaAs单晶。这种细致的工艺使晶圆拥有卓越的晶体水平，这是最后电子设施性能和靠谱性的重点原因。有趣的是，VGF也有其他名字，如“定向凝固”或“布里奇曼办法”。另一个重点优势在于它可以精准控制晶体成长，从而形成高度对称和完美定向的晶体结构，具备显著的100%排列。这种精准的结构确保了在依靠于GaAs独特特质的各种应用中的最好性能。

VGF的可扩展性和效率也使其成为砷化镓晶圆市场大量量生产的理想选择，砷化镓晶圆市场是现代电子商品的支柱。VGF可以很多生产大的、优质的单晶，使其与其他办法不同。除去效率以外，VGF在所得GaAs材料的性能方面提供了明显的优势。用VGF生产的无掺杂半绝缘GaAs对“种类转换”表现出高电阻，并具备卓越的热稳定性，这两个原因都是靠谱半导体器件的重点原因。除此之外，一般直径为50mm的籽晶表现出很难置信的低位错密度，并维持高径向均匀性——这是整个晶圆性能一致的重点指标。VGF办法因为整个晶片表面的电特质异常均匀，产生了具备独一无二的电特质的晶体。这种均匀性转化为这类晶片所能达成的电子设施的高度可预测和靠谱的性能。

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砷化镓晶圆性能强劲，但面临来自硅片的直接角逐

砷化镓（GaAs）晶片在半导体范围具备不能否认的优势。然而，他们面临着一个关键的角逐对手——硅片，因为其价格低廉，硅片在市场上占据主导地位。
2025年，全球硅片市场价值高达惊人的141.5亿USD，使砷化镓晶圆市场同年的72315万USD相形见绌。这种优势非常大程度上来自于本钱。硅片的平均价格为10|20USD，而砷化镓的价格则高得多，每片价格为150|200USD。因为硅在各种应用中具备明显的本钱优势和多功能性，这种价格差异转化为硅占据了半导体晶片总市场份额的95%以上。不幸的是，GaAs晶片的生产本钱是硅的5|10倍，限制了它们在本钱是主要决定原因的应用中的应用。

但更高的效率和性能是救星

尽管存在本钱障碍，砷化镓晶圆市场的需要势头强劲，复合年增长率为16.6%，由于它提供了不能否认的性能优势。它拥有8500 cm²/V·s的电子迁移率，比硅的1400 cm²/V·s高出惊人的六倍。这意味着设施性能显著提升。除此之外，与硅的10GHz左右的限制相比，GaAs器件可以在超越250GHz的频率下工作。这致使砷化镓成为高频应用的明确选择。除此之外，与硅（1.12 eV）相比，GaAs具备更宽的带隙（1.42 eV），允许在更高的温度下更有效地操作。这转化为电子设施中更好的功率效率。即便在太阳能电池中，砷化镓也会发光。GaAs太阳能电池的效率高达29.1%，超越了硅太阳能电池26.7%的最高效率。

技术进步正在帮助硅片缩短性能差距

然而，砷化镓晶圆市场正在不断进步。硅技术的进步，如绝缘体上硅（SOI）和应变硅，能够帮助弥合硅和GaAs之间的性能差距。除此之外，另一种化合物半导体氮化镓（GaN）正在成为角逐对手，预计到2025年市场规模将达到26亿USD。除此之外，硅光子学的进步使光学元件可以直接集成到硅片上，这可能对光通信应用中的GaAs构成挑战。亚太区域主导着硅片市场，占全球70%以上的份额，中国、日本和韩国是主要贡献者。这种具备本钱效益的替代品在区域的主导地位进一步加剧了GaAs晶片的角逐。

主要公司介绍：

一流的无线半导体公司AXT股份公司世纪电子技术公司公司中国水晶技术弗赖伯格复合材料公司全球通信半导体公司Holtek Semiconductors股份公司智能电子技术，股份公司Ommic美国Powerway先进材料公司公司STMicroelectronics台湾半导体公司天津京明电子材料WIN半导体公司其他知名公司

重点细分：

按种类

半导电砷化镓（SC|GaAS）半绝缘砷化镓（SI|GaAS）

按生产办法

垂直梯度冷冻（VGF）液体封装直拉法（LEC）分子束外延（MBE）金属有机气相外延（MOVPE）其他

按应用程序

计算机和手机光伏电池光电通信激光二极管和红外发射太阳能电池晶体管其他

按行业

汽车工业电子物联网市场航空航天和国防通信设施其他

按区域

中国印度日本韩国台湾东盟缅甸马来西亚泰国印度尼西亚越南菲律宾东盟其他区域亚太其他区域

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